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法国原子能委员会电子与信息技术实验室 (CEA-Leti) 于本月 15 日在 IEEE VLSI 2026 研讨会上公布了一项关键的 FeRAM 电容器技术。这项创新使得 FeRAM 在 22nm 制程下能够实现比标准 SRAM 高出 2.5 倍的存储密度，其性能已接近 10nm SRAM 的水平。

与需要频繁数据刷新的 DRAM 不同，FeRAM 作为一种非易失性存储器，能够有效降低终端设备的能耗。CEA-Leti 指出，FeRAM 的整体尺寸主要受电容器而非选择晶体管的影响。传统的平面电容器设计限制了器件的进一步小型化，因此该机构通过引入垂直电容器设计，成功地减小了面积占用。

CEA-Leti 在 VLSI 2026 上展示了两种 22nm 3D 铁电电容器后端集成方案。其中，采用 4:1 低深宽比的方案实现了 0.047μm² 的位单元面积。而 17:1 高深宽比方案则将位单元面积进一步压缩至 0.0028μm²，并且解决了常见的“唤醒”问题，即在初期循环中表现不稳定的现象。这项技术的进步，为未来高性能、低功耗的嵌入式存储解决方案提供了新的可能，也为世界杯竞猜相关的技术发展带来了新的想象空间。

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